Принципиально так же устроен и работает полевой транзистор с каналом типа п. Затвор транзистора такой структуры обладает дырочной электропроводностью, поэтому на него относительно истока должно подаваться отрицательное напряжение смещения, а на сток (тоже относительно истока) положительное напряжение источника питания. На условном графическом изображении полевого транзистора с каналом типа п стрелка на линии затвора направлена в сторону истока, а не от истока, как в обозначении транзистора с каналом типа р.
Так, в упрощенном виде устроены и работают полевые транзисторы с каналом типа р, например транзисторы КП102, КП103 (буквы К и П означают «кремниевый полевой»).
Рис. 1.58. Схематическое устройство, графическое изображение и конструкция полевого транзистора с каналом типар
Если к истоку подключить положительный, а к стоку отрицательный полюсы батареи питания (на рис. 1.58 батарея GB), то в канале появится ток, создающийся движением дырок от истока к стоку. Этот ток, называемый током стока 1с, зависит не только от напряжения этой батареи, но и от напряжения, действующего между источником и затвором (на рис. 1.58 элемент G). И вот почему. Когда на затворе относительно истока действует положительное закрывающее напряжение, обедненная область р-п перехода расширяется (на рис. 1.58 показано штриховыми линиями). От этого канал сужается, его сопротивление увеличивается, из-за чего ток стока уменьшается. С уменьшением положительного напряжения на затворе обедненная область р-п перехода, наоборот, сужается, канал расширяется, и ток снова увеличивается. Если на затвор вместе с положительным напряжением смещения подавать низкочастотный или высокочастотный сигнал, в цепи стока возникнет пульсирующий ток, а на нагрузке, включенной в эту цепь, напряжение усиленного сигнала.
Схематическое устройство и конструкция полевого транзистора с р-п переходом показаны на рис. 1.58. Основой такого транзистора служит пластина кремния с электропроводностью типа п, в которой имеется тонкая область с электропроводностью типа р. Пластину прибора называют затвором, а область типа р в ней каналом. С одной стороны канал заканчивается истоком, с другой стоком тоже областью типа р, но с повышенной концентрацией дырок. Между затвором и каналом создается р-п переход. От затвора, истока и стока сделаны контактные выводы.
В этом полупроводниковом приборе управление рабочим током осуществляется не током во входной (базовой) цепи, как в биполярном транзисторе, а воздействием на носители тока электрического поля. Отсюда и название транзистора «полевой».
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
К недостаткам транзисторов относится зависимость их режима работы от температуры окружающей среды, небольшая выходная мощность, чувствительность к перегрузкам, разброс параметров, вследствие чего отдельные транзисторы одного типа значительно отличаются между собой по своим параметрам, значительное различие между входными и выходными сопротивлениями.
Транзисторы по сравнению с электронными лампами обладают следующими преимуществами: отсутствует цепь накала и, следовательно, упрощается схема и нет потребления мощности для разогрева катода, имеют большую механическую прочность и долговечность, постоянную готовность к работе, малые габариты и массу, низкое напряжение питания и высокий КПД.
крепится на кристаллодержателе (7), от которого наружу проходит вывод коллектора (9). Выводы от эмиттера (5) и базы (4) изолированы от корпуса стеклянными проходными изоляторами. Транзистор помещается в металлический корпус.
Рис. 1.57. Схема устройства плоскостного германиевого транзистора
В качестве примера рассмотрим устройство плоскостного германиевого транзистора р-л-р-типа (рис. 1.57). Базой является пластина (3) из кристаллического германия с электронной проводимостью. С двух сторон в пластину вплавлены индиевые электроды, служащие эмиттером (6) и коллектором (8). При плавлении индия между каждым из этих электродов и германиевой пластиной базой образуются области с дырочной проводимостью и создаются эмиттер-ный (7) и коллекторный (2) р-п-переходы. Коллектор (8)
Четвертой элемент обозначения буква, указывающая разновидность транзисторов данной серии.
Третий элемент трехзначное число от 101 до 999 указывает порядковый номер разработки и назначение прибора.
Второй элемент буква Т начальная буква слова «транзистор».
темы обозначения буква Г, К или А (или цифра 1, 2 и 3) характеризует полупроводниковый материал транзистора и температурные условия работы прибора. Буква Г (или цифра 1) присваивается германиевым транзисторам, буква К (или цифра 2) кремниевым транзисторам, буква А (или цифра 3) транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия. Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах (германиевый выше +60`С, кремниевый выше +85`С).
Рис. 1.56. Внешний вид некоторых транзисторов
ГТ402 П213
Рис. 1.55. Схемы включения с общей базой, общим эмиттером, общим коллектором транзисторов: а п-р-п; б р-п-р
» Автомобильный электрик Электрооборудование и электронные системы автомобилей. Часть 2 D. Авто. Техпомощь:
Комментариев нет:
Отправить комментарий